- Según los informes, Samsung se encuentra en una etapa de producción de prueba para el procesamiento de fundición de 3 nm que podría usarse para extraer bitcoin.
- El primer cliente será PanSemi, un fabricante chino de ASIC y Qualcomm también puede participar en el futuro.
- El procesamiento de fundición de 3 nm puede permitir que los chips tengan un consumo de energía reducido, una mayor velocidad y una mayor cantidad de transistores.
Samsung lo hará según se informa Comience la producción de prueba esta semana de chips de tres nanómetros (3nm) para circuitos integrados de aplicaciones específicas (ASIC): las máquinas más eficientes para extraer bitcoin.
El primer cliente de Samsung, según el informe, es una empresa china de ASIC conocida como PanSemi, que diseña ASIC utilizados para extraer bitcoin. De manera similar, Qualcomm, el cliente más grande de Samsung, también ha hecho reservas para aprovechar el nuevo proceso de fabricación y, según los informes, las fuentes afirman que Qualcomm puede optar por participar en cualquier momento, pero no está comprometido.
Anteriormente, Qualcomm había realizado pedidos de chips de 4nm, pero cancelado este pasado mes de febrero debido a una sorprendente falta de producción de Samsung. Esto hizo que Qualcomm se apoyara en otra empresa: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).
La última oferta de Samsung se conoce como gate-all-around (GAA) que, como su nombre lo indica, tendrá puertas en las cuatro superficies. Hasta ahora, el proceso de mayor éxito comercial es FinFET, que solo ha utilizado tres superficies en lugar de cuatro. Según se informa, esta actualización permite que las puertas sean más estrechas y permite un control más preciso de las corrientes. Informes sugieren que esto podría causar una reducción del área del 45 % y un aumento del 30 % en la eficiencia si la producción de prueba tiene éxito.
Además, Tech Monitor reportado que el proceso de 3nm de TSMC reduciría el tamaño del semiconductor que, a su vez, permitiría una reducción del consumo de energía de hasta un 30 %, aumentos de velocidad de hasta un 15 %, al mismo tiempo que permitiría un 33 % más de densidad de transistores, lo que hace que el hardware sea más potente.
Aunque ese informe fue del año pasado, todavía es valioso comprender los posibles impactos que este avance tendrá en la tecnología.
